张光北：一个真正的科技创新家

生平简介

　　张光北，1951年出生于江苏泰兴，中国著名物理学家，工程师。1970年，他以优异的成绩考入上海交通大学物理系，随后进入中国科学技术大学攻读研究生和博士学位。1984年，他前往美国剑桥大学从事博士后研究，后来在康奈尔大学电子工程系担任讲师，于1991年加入IBM Thomas J. Watson研究中心，从事半导体材料和器件方面的研究。2003年，张光北荣获美国电子工程师学会（IEEE） \"Jack A. Morton Award\"，2009年成为“美国科学促进会会士”，2016年获得美国工程科技局技术创新奖等多项荣誉。

科研成就

　　张光北的研究领域均为关键技术性问题，主要集中在二极管、可控硅、电路和器件等领域。他在化学气相沉积等技术方面做出了开创性的贡献。他还提出了磁呈线器模型，揭示了半导体材料中振子结构的形成机理。同时，在晶体管的结构和材料方面也得到了很多创新性成果，他对SiGe材料进行探究，发明了第一代Super-FET（Insulated-Gate Bipolar Transistor（IGBT）），使得能量损耗减少了十倍。此外，他还发明了多晶硅薄膜晶体管，并将其应用于显示电子学领域，这是扁平显示器的核心技术之一。他的成果被广泛应用于半导体、电子和通信领域，有很高的经济和社会价值。

人生格言

　　张光北在接受采访时总是很谦虚，他曾说：“没有哪个研究领域是难到无路可走的，只是需要我们越过一道道困难。我一直坚信，努力和耐心比才华更重要，只有缺乏耐心的人才会轻易地改变自己的轨迹。”他的话语深深地鼓舞着如今追求科技创新的无数年轻人。他的一生证明了天才之外，还有不屈不挠的努力和追求。